Producătorul japonez Toshiba introduce un nou MOSFET cu carbură de siliciu (SiC) pentru sisteme de alimentare de înaltă putere, direcționat către infrastructura europeană de încărcare rapidă pentru vehicule electrice și aplicații de energie regenerabilă. Noua tehnologie promite reduceri semnificative ale pierderilor energetice și o eficiență superioară, fapt ce poate influența modul în care sunt proiectate stațiile de încărcare rapidă și instalațiile de stocare a energiei la scară industrială.
Toshiba a început livrarea mostrelor de testare pentru noul MOSFET SiC, modelul TW007D120E, proiectat pentru sisteme de alimentare de 1.200 V, utilizate inclusiv în stațiile europene de încărcare rapidă pentru vehicule electrice (EV). Dispozitivul vizează și segmentele energiei regenerabile, precum invertoarele fotovoltaice și sistemele de stocare, precum și infrastructura centrelor de date avansate.
Tehnologia MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) cu carbură de siliciu (SiC) oferă avantaje semnificative față de tranzistoarele pe bază de siliciu tradițional, în special pentru aplicațiile de înaltă tensiune și curent mare. Modelul TW007D120E folosește o structură avansată „trench-gate”, unde electrozii de poartă sunt amplasați în canale gravate direct în substratul semiconductor, spre deosebire de variantele clasice cu structură plană. Conform Toshiba, această arhitectură reduce rezistența la conducție (RDS(on)) pe unitatea de suprafață cu 58% față de generația anterioară și îmbunătățește indicele de merit (RDS(on) × Qgd) cu 52%.
Specificațiile tehnice relevante ale dispozitivului includ o tensiune de străpungere între drenă și sursă de 1.200 V, un curent de drenă continuu de 172 A la 25°C și o rezistență tipică RDS(on) de 7,0 mΩ la o tensiune de poartă de 15 V. De asemenea, încărcarea poartă-drenă (Qgd) este de 33 nC, iar încărcarea totală a porții (Qg) ajunge la 317 nC, valori relevante pentru proiectarea surselor de alimentare cu eficiență ridicată.
O caracteristică tehnologică importantă pentru piața europeană este integrarea dispozitivului într-un pachet QDPAK cu răcire pe partea superioară. Soluția permite disiparea mai eficientă a căldurii, facilitând designul unor surse de alimentare compacte și cu densitate mare de putere, cerință esențială pentru miniaturizarea stațiilor de încărcare și a platformelor de stocare a energiei.
MOSFET-ul este compatibil cu arhitecturile de 800 V DC, din ce în ce mai frecvente în infrastructura europeană de încărcare rapidă și în centrele de date moderne, aliniindu-se astfel cu tendința regională către eficiență și sustenabilitate. Toshiba confirmă distribuția mostrelor prin filiala sa europeană, marcând intenția explicită de a adresa cererea din regiune – atât pentru piața EV, cât și pentru sectorul energiei regenerabile. Producția de serie este planificată pentru anul fiscal 2026, o sincronizare relevantă în contextul noilor reglementări europene privind eficiența energetică și reducerea emisiilor de CO₂ la nivel industrial și în transporturi electrificate.
Competiția pe segmentul MOSFET-urilor SiC de 1.200 V este intensă pe piața europeană, cu rivali precum STMicroelectronics, Infineon Technologies și Rohm, care oferă tehnologii similare. Toți producătorii vizează îmbunătățirea disipării termice și creșterea densității de putere, adaptându-se nevoilor continue ale industriei pentru sisteme mai compacte și eficiente.
Toshiba subliniază că seria ar putea fi extinsă ulterior și pentru aplicații auto, ceea ce ar permite omologarea dispozitivelor conform standardelor de fiabilitate și siguranță impuse de Uniunea Europeană pentru vehiculele electrice de ultimă generație. În prezent, prețul pentru modelul TW007D120E nu a fost anunțat oficial, fiind în faza de sampling industrial.