Producătorii auto și furnizorii de echipamente pentru mobilitate electrică pot beneficia acum de H-DPAK, noul pachet de la Infineon ce integrează un half-bridge pe tehnologie CoolSiC de 750 V, optimizat pentru încărcătoare la bord, convertoare DC-DC și sisteme auxiliare EV, fără modificări de design la nivel de placă electronică.
Infineon a introdus pe piața europeană H-DPAK, un pachet inovator ce integrează un half-bridge bazat pe tehnologia CoolSiC G2 MOSFET de 750 V, adresând cerințele stringente ale sectorului auto și industrial, inclusiv pentru încărcătoare la bord (OBC), convertoare DC-DC și aplicații auxiliare. Prin integrarea atât a comutatorului high-side cât și a celui low-side într-o singură capsulă, H-DPAK contribuie la reducerea spațiului ocupat pe placă și la simplificarea fluxului de proiectare pentru echipamente de conversie a energiei, fără a solicita reproiectarea layout-ului.
Pachetul H-DPAK este dezvoltat cu un design de tip split lead-frame și pad-uri de drenaj optimizate pentru disiparea eficientă a căldurii. Aceasta asigură performanță termică superioară, importantă mai ales la integrarea în sisteme cu răcire cu lichid în etape de putere dense, tipice vehiculelor electrice și soluțiilor industriale avansate. În plus, topologia sa permite compatibilitate directă cu layout-uri bazate deja pe standardele Q-DPAK sau TOLT, datorită înălțimii de 2,3 mm, facilitând adoptarea rapidă în producție pentru partenerii existenți Infineon.
Din punct de vedere tehnic, H-DPAK aduce eficiență ridicată, datorită parametrilor avansați ai tehnologiei CoolSiC G2: rezistență la starea pornită (RDS(on)) foarte mică înmulțită cu sarcina totală a condensatorului de ieșire (QOSS) și valori excelente pentru produsul RDS(on)×Qfr. Acest set de caracteristici reduce pierderile de energie și optimizează dimensiunea componentelor pasive, ceea ce duce la soluții de conversie de putere mai compacte și eficiente. Dispozitivul oferă, de asemenea, o sarcină de poartă totală scăzută (Qg), toleranță largă la polarizarea poartei și capacitate de funcționare la rate dv/dt ridicate, relevante pentru aplicațiile automotive și industriale înalt solicitate.
Pentru industria europeană și, implicit, pentru piața românească în curs de electrificare, beneficiile includ respectarea cerințelor de siguranță și fiabilitate impuse de reglementările UE și asigurarea performanței în condiții de suprasarcină sau evenimente avalanche. În același timp, răspunsul la nevoia de miniaturizare și creșterea capacității de integrare răspunde tendințelor pieței auto și energetice din Uniune, unde eficiența conversiei este cheia atingerii țintelor de decarbonizare și optimizare a costurilor.
Din perspectiva pieței, H-DPAK concurează cu soluții similare oferite de producători europeni consacrați precum STMicroelectronics și ON Semiconductor, întreg segmentul fiind presat de reglementările UE privind eficiența energetică, densitatea de putere și siguranța la nivelul modulelor de conversie. Cererea pentru module SiC integrate crește substanțial pe fondul dezvoltării infrastructurii pentru mobilitate electrică, a generării de energie din surse regenerabile și a transformării digitale care presupune alimentare fiabilă pentru servere AI de înaltă putere.
Pe scurt, H-DPAK de la Infineon reprezintă o opțiune robustă și flexibilă pentru proiectele de conversie de putere în sectoarele auto, industrial și energetic, susținând accelerarea tranziției către electrificare și digitalizare în Europa. Pentru producătorii auto și de infrastructură energetică din România, integrarea unor astfel de soluții poate contribui decisiv la atingerea standardelor de eficiență, siguranță și sustenabilitate la nivel european.