Wolfspeed introduce pe piață noua generație de MOSFET-uri pe carbură de siliciu, cu impact direct asupra eficienței și compactității invertoarelor EV la nivel industrial și auto european. Tehnologia promite un randament crescut și integrare rapidă pentru producătorii auto, susținând tranziția sectorului spre performanțe mai ridicate și respectarea noilor norme UE.
Wolfspeed a anunțat lansarea celei de-a cincea generații de tranzistoare pe carbură de siliciu (SiC) de tip MOSFET, proiectate pentru aplicații auto și industriale la 1.200 V și 750 V. Noile produse, dezvoltate pentru segmentul vehiculelor electrice, aduc un avantaj operațional pentru inginerii de sisteme de propulsie electrică și furnizorii europeni preocupați de îndeplinirea standardelor stricte de eficiență impuse de UE.
Compania susține că aceste cipuri oferă cea mai scăzută rezistență specifică la trecere (RSP) în formatul de 5×5 mm, cu valori de 3,4 mΩ·cm² la 175° C pentru modelul de 1.200 V și 2,0 mΩ·cm² la aceeași temperatură pentru varianta de 750 V. Acest parametru face posibilă transmiterea unor curenți mai mari prin invertoare, ajutând la reducerea dimensiunilor și la îmbunătățirea randamentului sistemelor chiar și la temperaturi ridicate. Pentru industria auto europeană și furnizorii locali, accesul la astfel de dispozitive se traduce în oportunitatea de a construi invertoare mai compacte și eficiente, cu reducerea simultană a nevoii de baterii supradimensionate.
Noile dispozitive Gen 5 mențin distribuția RDS(ON) la ±18%, diminuând marja de proiectare necesară pentru variațiile de la piesă la piesă în schemele termice și de eficiență. De asemenea, tehnologia susține funcționarea la o temperatură de joncțiune continuă ridicată, de până la 200° C (sau 215° C pentru durată limitată de viață), caracteristică tot mai cerută de industria vehiculelor electrice pentru reducerea complexității sistemelor de răcire.
Potrivit Wolfspeed, generarea a 5-a asigură pierderi reduse la comutare și la conducție, inclusiv datorită unui nivel scăzut de sarcină de recuperare inversă, iar dioda integrată păstrează caracterul „moale” al generației anterioare. Aceste caracteristici ajută la creșterea eficienței sistemelor de propulsie EV, o cerință majoră pentru producătorii europeni care trebuie să se conformeze reglementărilor precum UNECE R100 sau EN 50604-1 și să contribuie la atingerea obiectivelor Green Deal și Fit for 55.
Tehnologia Gen 5 este a doua generație Wolfspeed produsă pe platforma de 200 mm din Mohawk Valley, New York, și nu necesită schimbări în echipamentele existente pentru producție de volum. Acest lucru constituie un element de reducere a riscurilor pentru companiile europene care au deja produse certificate pe generația anterioară, permițând o trecere rapidă la noile cipuri fără a fi afectate timpii de validare și calificare. Conform declarațiilor reprezentanților Wolfspeed, această abordare favorizează reducerea timpului necesar lansării pe piață, aspect crucial într-un context competitiv accelerat și al unor cicluri de dezvoltare tot mai scurte la nivel european.
O altă noutate tehnologică remarcabilă este capacitatea dispozitivelor Gen 5 de a facilita înlocuirea releelor mecanice cu întreruptoare solide în arhitectura EV. Această funcționalitate se aliniază cu tendința industriei spre fiabilitate sporită și reducerea componentei electromecanice în vehicule.
Wolfspeed concurează pe piața europeană cu jucători majori precum Infineon, Rohm și Toshiba, ultima lansând și ea recent modele SiC MOSFET la 1.200 V cu progrese semnificative privind reducerea rezistenței la trecere. Integrarea rapidă a waferelor de 200 mm SiC consolidează poziția Wolfspeed în lanțul de aprovizionare pentru producătorii de platforme BEV și PHEV europene, precum și pentru dezvoltarea infrastructurii de încărcare rapidă și trecerea la arhitecturi EV de 800 V în Europa Centrală și de Est, cu impact direct asupra industriei auto din România.